Thyristor Kontrola Qonaxê (Tîpa Aloykirinê)

Terîf:

Thyristor, ku wekî Rectifier Kontrola Silicon (SCR) jî tê zanîn, amûrek nîvconductor ya bi hêz e ku ji sê strukturên PN pêk tê.Di warê performansê de, trîstor ne tenê xwedan guheztina yekalî ye, lê di heman demê de ji hêmana rastkerê sîlîkonê ku bi tenê du halên rêgirtinê û ne-dewletê ye, ji bo kontrolkirina hêza mezin bi hêzek piçûk, zêdekirina hêzê heya bi sedan an jî xwedan kontrolkirina bihatir e. hezar car.Reaksîyon pir bi lez e, di mîkro-saniyeyan de vedibe û vedibe.Operasyona bê-têkilî, bê çirûsk, bê deng, di heman demê de berberiya bilind û lêçûnek kêm.Ji ber vê yekê, nemaze di pergala dabînkirina hêzê ya bilind de, trîstor bi berfirehî di çerxa rastker, guheztina deryaya statîk, guheztina derana bê-têkilî û derdorên din de hatî bikar anîn.

Teknolojiya hilberîna tîrîstor û standarda hilberîna tîrîstorê ya RUNAU Electronics ji sala 1980-an vir ve ji DYE hate nasandin, wekî pêşengek çêkirina tîrîstorê li Chinaînê, tîmê teknîkî ya RUNAU ji zêdetirî 30 salan ve zanîna pêşkeftî û ezmûna hilberînê ya berfireh bi dest xistibû.Li ser bingeha pêvajoya hilberîna kevneşopî, teknîsyenên jêhatî yên RUNAU Electronics teknolojiya hunerî-dewletê di çêkirina tîrîstorê de bi taybetmendiyên avantaj ên hilberên Ewropî pêş xistine, kalîte û performansa pir çêtir dibe, di serîlêdana elektronîkî ya hêzê de bêtir serketinên mezin bi dest xistin. zeviyan, û bêtir nirx ji bo hevkaran hate afirandin.

Pêşkêş:

1. Çîp

Çîpa tîrîstorê ya ku ji hêla RUNAU Electronics ve hatî çêkirin teknolojiya alloykirina înterekirî ye.Vafera silicon û molîbdenumê ji bo lêdanê ji hêla aluminiumê pak (99,999%) ve di bin valahiya bilind û hawîrdora germahiya bilind de hate çekirin.Rêvebiriya taybetmendiyên sintering faktora bingehîn e ku bandorê li kalîteya trîstor dike.Zanîna RUNAU Electronics ji bilî birêvebirina kûrahiya girêdana alloyê, şûştina rûkê, valahiya alyeyê û her weha jêhatiya belavkirina tevahî, deriyê navendê, şêwaza çembera zengilê hate sepandin da ku karûbarê guheztina pêbawer û bikêrhatî ya trîstorê bikar bîne, da ku performansa kalîteya bilind piştrast bikin.

2. Encapsulation

Bi kontrolkirina hişk a şilbûn û paralelîzma wafera molîbdenum û pakêta derveyî, dê çîp û wafera molîbdenumê bi pakêta derveyî hişk û bi tevahî were yek kirin.Bi vî rengî dê berxwedana tîrêjê û tîrêjê kurteya bilind çêtir bikin.Pîvana teknolojiya evaporkirina elektronê hate bikar anîn da ku fîlimek aluminiumê ya stûr li ser rûbera wafera silicon were afirandin, û qata rutenium ku li ser rûyê molîbdenumê hatî pêçan dê berxwedana westandina termal pir zêde bike, dema jiyana xebata tîrîstorê dê pir zêde bibe.

Taybetmendiya teknîkî

1. Tîrîstora kontrolkirî ya qonaxê ya bi çîpek celebê alloyek ku ji hêla RUNAU Electronics ve hatî çêkirin, rêza I_TAVji 300A heta 6000A û V_DRM/V_RRMji 800V heta 4400V.
2. I_GT, V_GTû ez_Hnirxên testê li 25℃ ne, heya ku wekî din neyê gotin, hemî pîvanên din nirxên testê yên di bin T de ne._jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Firehiya bingeha niha ya nîv pêla sinusoidal.Li 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Li 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;ez²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parametre: