Thyristor Kontrola Qonaxê (Tîpa Pêvekêşana Belaş)

Terîf:

Bi pêşkeftina zêdekirina hêz û kapasîteya alavên veguherîner, nemaze veguheztina HVDC, tê xwestin ku kapasîteya hêza derketinê ya yekîneya tîrîstorê li gorî wê zêde bibe, bi vî rengî dê mîqdara sazkirinê ya tîrîstorê di rêze û çerxa girêdana paralel de kêm bike.Dê mezinahî û giraniya cîhazê kêm bibe, veberhênana hindiktir, tewra heya niha û tewra voltaj jî dê bi hêsanî were fêm kirin, operasyona pêbawer û nirxa bazirganî dê bi girîngî zêde bibe.

Teknolojiya siliconê ya belaş a ku ji bo hilberîna tîrîstora bilind a hêza bilind tê xebitandin dê hewcedariya serîlêdana standarda bilind têr bike.Û di Tîrmeha 2019-an de, RUNAU Electronics tîrîstora 5200V bi çîpek 5” bi serfirazî pêşxistibû û ji xerîdar re ku di projeya HVDC ya Chinaînê de sepandibû peyda kir.

Pêşkêş:

1. Çîp

Çîpa tîrîstorê ya standard a ku ji hêla RUNAU Electronics ve hatî çêkirin teknolojiyek hêlînek belaş e ku tê sepandin.Ew ji bo çêkirina tîrîstora voltaja bilind a hêza bilind wekî teknolojiya herî dawî û gihîştî tête pejirandin.Ew bi berfirehî ji hêla hilberînerên herî cîhanê ve tê sepandin.

Pêvajoya belavkirinê di zencîre û firehiyê de xweşbîn bû da ku berxwedana voltajê zêde bike, daketina voltaja ser-dewletê kêm bike, û taybetmendiyên tetik û dînamîkî baştir bike.Nimûneya fotolîtografî ya nû hate sêwirandin ku taybetmendiya di/dt û dv/dt zêde bike.Struktura pêwendiyê ya çîpê ji nû ve hate çêkirin da ku keviya silicon wafer û rûyê katodê biparêze, performansa voltaja berevajî dê pir baştir bibe.

2. Encapsulation

Feydeya teknolojiya siliconê ya belaş guheztina di navbera silicon û molybdenum wafer pir tê sekinandin û vexwarina wafera molîbdenum kêm dibe.Digel ku şilbûna şilava silicon û bloka sifir a pakêtê pir hewce ye û her weha hewcedariya paralelîzm û hişkbûnê ji teknolojiya çîpê alojen bilindtir e.Bi pêşveçûn û nûjeniya domdar, RUNAU Electronic hemî dijwarî û astengiyên teknîkî derbas kiribû.Teknolojiya herikîna belaş, tîrîstora voltaja bilind a bi hêza bilind bi performansa pêbawer û çareseriya bikêrhatî ya bazirganî hate pêşve xistin û ji xerîdaran re peyda kirin.Piranîya wan di rastkera kontrolkirî ya hêza bilind, destpêkek nerm a voltaja bilind, veguheztina hêza HVDC, kişandina lokomotîf, tezmînata hêza reaktîf a dînamîkî û pergala serîlêdana hêza pêlê de têne saz kirin.

Taybetmendiya teknîkî

1. Tîrîstora kontrolkirî ya qonaxê ya bi çîpek celebê alloyek ku ji hêla RUNAU Electronics ve hatî çêkirin, rêza I_TAVji 350A heta 5580A û V_DRM/V_RRMji 3400V heta 8500V.
2. I_GT, V_GTû ez_Hnirxên testê li 25℃ ne, heya ku wekî din neyê gotin, hemî pîvanên din nirxên testê yên di bin T de ne._jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Firehiya bingeha niha ya nîv pêla sinusoidal.Li 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Li 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;ez²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parametre: