Fast Switch Thyristor

Terîf:

Tîrîstora guhêrbar a bilez, bi heman avahî û sembola tîrîstora kontrolkirina qonaxê, dema ku taybetmendiyên statîk çêtir, nemaze taybetmendiyên dînamîkî ji hêla serîlêdana frekansa bilind a rastkirin, qutkirin, veguheztin û veguheztina frekansê ve hewce ye.Parametreyên dînamîkî yên tîrîstora bilez leza çalakkirina bilez û leza berfirehkirina zivirandinê, kêm barkirina vegerandina berevajî, û demek kurt a qutbûnê, rêjeya bilindbûna krîtîk a niha ya li ser-dewletê (di/dt) û rêjeya krîtîk e. bilindbûna voltaja derveyî dewletê (dv/dt).Dema ku frekansa zêde dibe, herikîna binavkirî ya trîstora bilez a di nav frekansa binavkirî de kêm nabe an piçekî kêm dibe.

Teknolojiya hilberîna tîrîstora bilez a guhastinê ya standard û teknolojiya pêvajoyê ya RUNAU Electronics ji sala 1980-an vir ve ji Dewletên Yekbûyî hate destnîşan kirin, wekî pêşengek çêkirina trîstorê li Chinaînê, tîmê teknîkî ya RUNAU ji zêdetirî 30 salan ve zanîna pêşkeftî û ezmûna hilberînê ya berfireh bi dest xistibû.Li ser bingeha pêvajoya hilberîna kevneşopî, teknîsyenên jêhatî yên RUNAU Electronics teknolojiya hunerî-dewletê di çêkirina tîrîstorê de bi taybetmendiyên avantaj ên hilberên Ewropî pêş xistine, kalîte û performans pir çêtir dibin, di sepanên elektronîkî yên hêzê de bêtir serketinên mezin hatine bidestxistin. û bêtir nirx ji bo hevkaran hate afirandin.

Pêşkêş:

1. Çîp

Çîpa tîrîstorê ya ku ji hêla RUNAU Electronics ve hatî çêkirin teknolojiya alloykirina înterekirî ye.Vafera silicon û molîbdenumê ji bo lêdanê ji hêla aluminiumê pak (99,999%) ve di bin valahiya bilind û hawîrdora germahiya bilind de hate çekirin.Rêvebiriya taybetmendiyên sintering faktora bingehîn e ku bandorê li kalîteya trîstor dike.Zanîna RUNAU Electronics ji bilî birêvebirina kûrahiya girêdana alloyê, xêzbûna rûkê, valahiya alyeyê û her weha jêhatiya belavkirina tevahî, şêwaza çembera zengilê, strukturê dergehê taybetî.Di heman demê de pêvajoyek taybetî hate bikar anîn da ku jiyana hilgirê cîhazê kêm bike, da ku leza veavakirina hilgirê navxweyî pir bileztir bibe, lêçûna paşvekêşana berevajî ya cîhazê kêm dibe, û bi vî rengî leza veguheztinê baştir dibe.Pîvandinên bi vî rengî ji bo xweşbînkirina taybetmendiyên guheztina bilez, taybetmendiyên ser-dewletê, û taybetmendiya heyî ya zêde hatin sepandin.Operasyona performans û rêvekirina trîstor pêbawer û bikêrhatî ye.

2. Encapsulation

Bi kontrolkirina hişk a şilbûn û paralelîzma wafera molîbdenum û pakêta derveyî, dê çîp û wafera molîbdenumê bi pakêta derveyî hişk û bi tevahî were yek kirin.Bi vî rengî dê berxwedana tîrêjê û tîrêjê kurteya bilind çêtir bikin.Pîvana teknolojiya evaporkirina elektronê hate bikar anîn da ku fîlimek aluminumê ya stûr li ser rûbera wafera silicon were afirandin, û qata rutenium ku li ser rûyê molîbdenê hatî pêçan dê berxwedana westandina termal pir zêde bike, dema jiyana xebatê ya tîrîstora guheztina bilez dê pir zêde bibe.

Taybetmendiya teknîkî

1. Tîristorê guheztina bilez a bi çîpek celebê alloyek ku ji hêla RUNAU Electronics ve hatî çêkirin, rêza I_TAVji 200A heta 4000A û V_DRM/V_RRMji 1200V heta 4500V.
2. I_GT, V_GTû ez_Hnirxên testê li 25℃ ne, heya ku wekî din neyê gotin, hemî pîvanên din nirxên testê yên di bin T de ne._jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Firehiya bingeha niha ya nîv pêla sinusoidal.Li 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Li 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;ez²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parametre: